2차원소재1 4차산업혁명, 2차원 소재로 양자 터널링 소자 개발<펌> 2차원 소재로 양자 터널링 소자 개발 2차원 소재를 이용해 실리콘을 넘어서는 양자 터널링 소자 개발됐습니다. 성균관대학교 에너지과학과 정문석 교수와 오혜민 박사 연구팀이 2차원 적층시료의 표면을 제어해 부성미분저항(Negative differential resistance) 및 핫 캐리어 효과(Hot carrier effect)를 활용한 초저전력 및 고속 소자를 개발했다고 밝혔습니다. 해당 연구는 에 게재됐습니다. 양자 터널링 소자 : 양자역학적 공명 터널링 현상을 이용한 초전력 소자입니다. 부성미분저항 : 소자의 저항이 특정 영역에서 음수를 갖는 현상입니다. 핫 캐리어 효과 : 반도체 트랜지스터의 사이즈가 작아지면서 채널의 길이도 짧아집니다. 이 경우 전계는 커지고 이동하는 전자는 높은 전계를 받아 이.. 2020. 3. 22. 이전 1 다음
